다이아몬드는 반도체 기판을 준비하는 데 이상적인 재료가됩니다

반도체 전자 장치의 통합 및 소형화 개발로 Diamond의 우수한 열 및 전기 전도도는 반도체 기판을 준비하는 데 이상적인 재료가되었습니다. 전자 장치의 높은 정밀도 및 높은 신뢰성 성능에 대한 반도체 산업의 요구 사항을 충족하려면 다이아몬드 표면을 연마해야합니다. 그러나, 높은 경도, 높은 내마모성 및 다이아몬드의 높은 화학적 불활성으로 인해 다이아몬드 가공은 많은 어려움에 직면하게됩니다. 기존 다이아몬드 연마 기술에는 고유 한 장점과 단점이 있으며 효율성을 보장하면서 부드러움, 평평성 및 낮은 손상을 달성 할 수있는 다이아몬드 표면 연마 기술이 긴급히 필요합니다. 따라서이 기사는 국내외의 다이아몬드 연마 기술에 관한 관련 문헌을 검토하고 기계적 연마, 열 화학적 연마, 화학 기계적 연마, 혈장 에칭 연마, 레이저 연마 및 기타 기술의 장단점과 단점을 요약합니다. 미래의 다이아몬드 연마 기술을 위해서는 여러 기술과 인텔리전스 방향, 정밀 및 환경 보호 방향으로 발전하여 다이아몬드 재료의 응용 범위를 확장해야합니다.

 

최근에는 5G와 인공 지능의 빠른 개발로 내부 전자 구성 요소가 점점 정밀, 통합 및 소형화로 나아가고 있습니다. 전자 장치는 끊임없이 줄어들고 회로 작동 중에 발생하는 열이 축적되면 전자 장치의 작동에 영향을 미치고 심지어 손상을 유발할 수 있습니다. 열 소산 문제를 해결하고 시스템의 안정적인 작동이 점점 더 중요 해지고 있는지 확인하는 방법. 실온에서, 다이아몬드는 2000 WM -1 k -1, 우수한 유전 특성 및 낮은 열 팽창 (표 1에 표시된 것처럼)을 제조하기에 이상적인 열 소산 재료가됩니다. 그러나, 두께가 고르지 않은 두께, 무작위 결정 방향 및 다이아몬드의 성장 과정에서 종종 발생하는 높은 내부 응력과 다이아몬드 재료의 높은 경도, 내마모성 및 화학적 불활성으로 인해 다이아몬드 가공은 매우 어렵습니다. 따라서 다이아몬드와 관련된 연마 기술과 장비는 항상 학계와 산업 모두에서 주목을 받고 있습니다.

 

매끄럽고 평평하며 낮은 손상 다이아몬드 표면의 요구 사항을 충족시키기 위해 다양한 연마 기술이 개발되었습니다. 일반적으로 사용되는 방법에는 기계적 연마 (MP), 열 화학적 연마 (TCP), 화학 기계적 연마 (CMP), PEP (혈장 에칭 연마), 레이저 연마 (LP) 등이 포함됩니다. 그러나 위의 각 방법에는 자체 한계가 있으며 현재 고유 한 품질을 달성 할 수있는 연마 기술이 필요하지 않습니다.

따라서, 장비, 원리, 연마 효율, 표면 품질 및 각 연마 기술의 기타 측면에서 시작하여 현재의 다이아몬드 연마 기술을 기반으로 다양한 연마 기술의 장점과 단점이 요약되어 있으며 다이아몬드 반도체 기판 정제 기술의 미래 개발 방향에 대해 논의합니다.